Samsung Galaxy S10 อาจมาพร้อมชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ความจุ 1TB!
จากที่เป็นข่าวก่อนหน้านี้ว่า Samsung ได้พัฒนาหน่วยความจำแบบใหม่ที่มีชื่อเรียกว่า eUFS (embedded Universal Flash Storage) ล่าสุดพวกเขาได้ออกมาประกาศผ่านสื่อแล้วว่า การพัฒนา eUFS ความจุ 1TB สำหรับใช้งานในสมาร์ทโฟนประสบความสำเร็จด้วยดีและกำลังอยู่ในขั้นตอนการผลิตแล้ว
นั่นหมายความว่าจากนี้ไป เราจะได้เห็นสมาร์ทโฟนที่มาพร้อมกับความจุข้อมูลในตัวเครื่องสูงถึง 1TB โดยใช้ชิปแฟลชเมมมอรีเพียงแค่ตัวเดียวเท่านั้น และมีความเป็นไปได้สูงว่าทาง Samsung จะชิงความได้เปรียบด้วยการเปิดตัวมันกับสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ที่กำลังจะเปิดตัวในเร็ว ๆ นี้อย่าง Galaxy S10 แต่จะอยู่ในรุ่นย่อยใดบ้าง และราคาจะขยับไปเป็นเท่าไรนั้นคงต้องรอลุ้นกันอีกที
Cheol Choi รองประธานฝ่ายการตลาดสินค้าในกลุ่มเมมมอรีชิปของซัมซุงเผยเกี่ยวกับ eUFS ความจุ 1TB “การพัฒนาให้อุปกรณ์โมบายเจนเนอเรชันต่อไปมีความเข้าใกล้คอมพิวเตอร์โน้ตบุ้คมากยิ่งขึ้น”
eUFS ความจุ 1TB นี้มีขนาดตัวชิปไม่ต่างจากชิปความจุ 512GB ที่ซัมซุงเคยผลิตออกมาก่อนหน้านี้ นอกจากนั้นมันยังมีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงถึง 1,000MB/s เร็วกว่า MicroSD Card ที่เร็วที่สุดถึง 10 เท่าตัว
เมื่อปีที่ผ่านมา Samsung ได้โปรโมต Galaxy Note 9 ว่าเป็นสมาร์ทโฟน “1 terabyte ready” แต่ในความเป็นจริงแล้วมันมีความจุข้อมูลในตัว 512GB และรองรับการใส่การ์ดหน่วยความจำ MicroSD Card เพิ่มได้อีก 512GB
แต่สำหรับสมาร์ทโฟน Galaxy S10 ที่กำลังจะเปิดตัวเร็ว ๆ นี้ก็มีข่าวลือออกมาว่ารุ่นย่อยที่วางกลุ่มเป้าหมายในระดับไฮเอนด์อาจมาพร้อมกับหน่วยความจำ RAM สูงถึง 12GB และมีหน่วยความจำภายในถึง 1TB เลยทีเดียว จึงมีความเป็นไปได้สูงมากว่าเราอาจได้เห็น eUFS 1TB ประจำในสมาร์ทโฟน Galaxy S10 เป็นรุ่นแรก
