fbpx

Samsung Galaxy S10 อาจมาพร้อมชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ความจุ 1TB!

จากที่เป็นข่าวก่อนหน้านี้ว่า Samsung ได้พัฒนาหน่วยความจำแบบใหม่ที่มีชื่อเรียกว่า eUFS (embedded Universal Flash Storage) ล่าสุดพวกเขาได้ออกมาประกาศผ่านสื่อแล้วว่า การพัฒนา eUFS ความจุ 1TB สำหรับใช้งานในสมาร์ทโฟนประสบความสำเร็จด้วยดีและกำลังอยู่ในขั้นตอนการผลิตแล้ว

นั่นหมายความว่าจากนี้ไป เราจะได้เห็นสมาร์ทโฟนที่มาพร้อมกับความจุข้อมูลในตัวเครื่องสูงถึง 1TB โดยใช้ชิปแฟลชเมมมอรีเพียงแค่ตัวเดียวเท่านั้น และมีความเป็นไปได้สูงว่าทาง Samsung จะชิงความได้เปรียบด้วยการเปิดตัวมันกับสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ที่กำลังจะเปิดตัวในเร็ว ๆ นี้อย่าง Galaxy S10 แต่จะอยู่ในรุ่นย่อยใดบ้าง และราคาจะขยับไปเป็นเท่าไรนั้นคงต้องรอลุ้นกันอีกที

Cheol Choi รองประธานฝ่ายการตลาดสินค้าในกลุ่มเมมมอรีชิปของซัมซุงเผยเกี่ยวกับ eUFS ความจุ 1TB “การพัฒนาให้อุปกรณ์โมบายเจนเนอเรชันต่อไปมีความเข้าใกล้คอมพิวเตอร์โน้ตบุ้คมากยิ่งขึ้น”

eUFS ความจุ 1TB นี้มีขนาดตัวชิปไม่ต่างจากชิปความจุ 512GB ที่ซัมซุงเคยผลิตออกมาก่อนหน้านี้ นอกจากนั้นมันยังมีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงถึง 1,000MB/s เร็วกว่า MicroSD Card ที่เร็วที่สุดถึง 10 เท่าตัว

เมื่อปีที่ผ่านมา Samsung ได้โปรโมต Galaxy Note 9 ว่าเป็นสมาร์ทโฟน “1 terabyte ready” แต่ในความเป็นจริงแล้วมันมีความจุข้อมูลในตัว 512GB และรองรับการใส่การ์ดหน่วยความจำ MicroSD Card เพิ่มได้อีก 512GB

แต่สำหรับสมาร์ทโฟน Galaxy S10 ที่กำลังจะเปิดตัวเร็ว ๆ นี้ก็มีข่าวลือออกมาว่ารุ่นย่อยที่วางกลุ่มเป้าหมายในระดับไฮเอนด์อาจมาพร้อมกับหน่วยความจำ RAM สูงถึง 12GB และมีหน่วยความจำภายในถึง 1TB เลยทีเดียว จึงมีความเป็นไปได้สูงมากว่าเราอาจได้เห็น eUFS 1TB ประจำในสมาร์ทโฟน Galaxy S10 เป็นรุ่นแรก

มนตรี คงมหาพฤกษ์

ผู้ก่อตั้งสื่อออนไลน์ AV Tech Guide อดีตบรรณาธิการบริหารนิตยสารและออนไลน์ GM2000 Magazine จบการศึกษาจากคณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ สนใจเครื่องเสียงทั้งระบบอะนาล็อกและดิจิทัล ใช้งานสมาร์ทโฟนทั้ง iOS และ Android ใช้คอมพิวเตอร์ทั้ง macOS และ Windows หลงใหลเทคโนโลยีเป็นชีวิตจิตใจ ตอนนี้กำลังเห่อระบบบันทึกเสียงและไมโครโฟนแบบมืออาชีพ