Samsung พัฒนา storage และ memory ความเร็วสูงแบบใหม่เตรียมใช้กับมือถือในอนาคต
ในขณะที่เทคโนโลยีบางอย่างนั้นมีความก้าวหน้าขึ้นเรื่อย ๆ โดยให้ประสิทธิภาพการทำงานที่ดีขึ้นอย่างต่อเนื่อง ขณะที่เทคโนโลยีบางอย่างนั้นกลับพัฒนาอย่างก้าวกระโดดทำให้เกิดความเปลี่ยนแปลงที่สำคัญภายในเวลาเพียงไม่กี่ปี ซึ่งล่าสุดได้เกิดขึ้นกับการพัฒนาหน่วยเก็บข้อมูลหรือ storage และหน่วยความจำ RAM สำหรับสมาร์ทโฟนแล้ว
Samsung ซึ่งเป็นผู้นำในการผลิตโมดูลหน่วยความจำสำหรับสมาร์ทโฟนได้แสดงให้เห็นถึงการพัฒนาอย่าง “ก้าวกระโดด” ในครั้งนี้ โดยได้เผยให้ทราบถึงการมาของหน่วยเก็บบันทึกข้อมูลแบบแฟลชหรือ flash storage เจนเนอเรชั่นใหม่ที่มีชื่อว่า UFS 3.0 ซึ่งจะเริ่มถูกใช้งานกับสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ในปี 2019 แทนที่หน่วยเก็บบันทึกข้อมูลแบบ UFS 2.1 ที่นิยมใช้งานในสมาร์ทโฟนระดับเรือธงในปัจจุบัน
ชิปหน่วยเก็บบันทึกข้อมูลแบบ UFS 3.0 ถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี 3D NAND แบบใหม่ล่าสุดของ Samsung ซึ่งไม่เพียงแค่สามารถทำให้ชิปขนาดเท่าเดิมมีความจุข้อมูลเพิ่มขึ้นแต่มันยังทำงานได่้เร็วขึ้นเป็น 2 เท่าอีกด้วย
ชิปรุ่นแรกจะมาใน 3 ขนาดความจุด้วยกันคือ 128GB, 256GB และ 512GB ส่วนชิปความจุขนาด 1TB ซึ่งเป็นอีกหนึ่งทางเลือกนั้นจะมีใช้งานในปี 2021
นั่นหมายความว่า จากนี้ไปจะไม่มีสมาร์ทโฟนระดับเรือธงที่มาพร้อมกับความจุข้อมูล 64GB (อย่างน้อยก็สมาร์ทโฟนของ Samsung) ทว่าอีกสิ่งหนึ่งที่อาจเป็นผลกระทบตามมาก็คือราคาของสมาร์ทโฟนที่อาจปรับสูงขึ้นตามไปด้วย
อย่างไรก็ดีประสิทธิภาพที่ดีขึ้นอย่างมากของหน่วยเก็บบันทึกข้อมูลแบบใหม่อาจเป็นผลดีกับสมาร์ทโฟนที่กำลังเข้าสู่ยุคของการเชื่อมต่อความสูงระดับ 5G หรือการรองรับการเล่นและถ่ายวิดีโอในระดับ Ultra HD ด้วยเฟรมเรตที่สูงขึ้น
ไม่เพียงหน่วยเก็บบันทึกข้อมูลที่ได้รับการพัฒนา ในปี 2020 Samsung ได้เตรียมวางแผนที่จะผลิตหน่วยความจำ RAM แบบใหม่ LPDDR5 RAM ที่มีความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลสูงถึง 51.2GB/s เร็วกว่า RAM ความเร็วสูงในปัจจุบันที่ 25GB/s ถึง 2 เท่า ในขณะที่มีการใช้พลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพดีกว่า DDR5 RAM อยู่ประมาณ 20%
เมื่อถึงเวลานั้นเราอาจนึกถึงไม่ถึงเลยว่าที่ผ่านมา (ซึ่งก็คือปัจจุบัน) สมาร์ทโฟนของเราก็ยังไม่เคยทำงานได้เร็วพอสำหรับความต้องการของมนุษย์เราสักที
